下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。