多項(xiàng)選擇題光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動(dòng)
D.套準(zhǔn)誤差


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1.多項(xiàng)選擇題光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

2.單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A.掩膜版
B.對(duì)準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠

3.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

A.堿溶液清洗
B.有機(jī)溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗

4.多項(xiàng)選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液

5.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。

A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷