填空題硅片上的氧化物主要通過（）和（）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（）。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項選擇題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題