把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？