MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。