硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。