設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

版圖設計的基本前提是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。