判斷題硅上的自然氧化層并不是一種必需的氧化材料,在隨后的工藝中要清洗去除。
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最新試題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題