MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。