判斷題在晶片制造中,有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素,即熱擴散和離子注入。
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最新試題
把半導體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項選擇題
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些?
題型:問答題
MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
BiCMOS技術就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題