版圖設(shè)計的基本前提是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。