問答題堆疊封裝的發(fā)展趨勢？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問答題簡述MCM的BGA封裝？
2.問答題簡述MCM的測試技術(shù)？
3.問答題簡述MCM的組裝技術(shù)？
4.問答題簡述MCM的設(shè)計(jì)？
5.問答題簡述MCM的概念、分類與特性？
最新試題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題