由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。