單項選擇題對片狀馬氏體而言,下列說法哪個是錯誤的()
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
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1.單項選擇題鋼的下列組織中熱穩(wěn)定性最差的是()
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
2.單項選擇題鋼件出現(xiàn)下述哪種缺陷時,難以用熱處理來消除()
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
3.單項選擇題碳鋼的下列各組織中,哪個是復(fù)相組織()
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
4.單項選擇題鋼中的二次滲碳體是指從()中析出的滲碳體.
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
5.單項選擇題金屬產(chǎn)生時效強化的主要原因是()
A、形成了高密度位錯
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題