A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
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你可能感興趣的試題
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
A、形成了高密度位錯
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
A、正火
B、調(diào)質(zhì)
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調(diào)質(zhì)+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
改良西門子法的顯著特點不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()