A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
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A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴散，p區(qū)電子向n區(qū)擴散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對，產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）