硅片拋光在原理上不可分為（）

PN結(jié)的基本特性是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列是晶體的是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；