單項選擇題在通常情況下，GaN呈（）型結構。
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
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1.單項選擇題如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質
2.單項選擇題雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
3.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
4.單項選擇題與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
A、比半導體的大
B、比半導體的小
C、與半導體的相等
5.單項選擇題表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
最新試題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題