直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；