填空題材料牌號(hào)QT600-3中，QT表示球墨鑄鐵，（）表示最低抗拉強(qiáng)度為600MPa，3表示最低伸長(zhǎng)率為3%。
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
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PN結(jié)的基本特性是（）
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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
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硅片拋光在原理上不可分為（）
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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