填空題對(duì)普通灰鑄鐵工件進(jìn)行低溫退火的目的是為了消除內(nèi)應(yīng)力,進(jìn)行高溫退火的目的是為了()、()。
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題