只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）