對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）