與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）