單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測(cè)試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開(kāi)鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機(jī)額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每（）校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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