A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
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A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的，n個(gè)測(cè)點(diǎn)，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)（試件）
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6～10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn)：門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)，后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體；獨(dú)立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
硅片拋光在原理上不可分為（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。