單項(xiàng)選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結(jié)普通磚、混凝土實(shí)心磚沒（）為一檢驗(yàn)批，不足數(shù)量時(shí)按1批計(jì)，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
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1.單項(xiàng)選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑，拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，拉結(jié)件在葉墻上的擱置長(zhǎng)度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3，并不應(yīng)小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
2.單項(xiàng)選擇題配置砌筑砂漿時(shí)，各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計(jì)量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
3.單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì)，當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時(shí)，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
4.單項(xiàng)選擇題扁頂法的特點(diǎn)有（）。
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
5.單項(xiàng)選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長(zhǎng)度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題