填空題制抗壓試件法量測試件長邊尺寸時,應除去兩端殘留的()。
您可能感興趣的試卷
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題