如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）