改良西門子法的顯著特點不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。