單項選擇題（）工藝就是往晶圓片中注入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體的工藝。
A.氧化
B.摻雜
C.光刻
D.蝕刻
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1.單項選擇題集成電路制造過程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過程叫（）。
A.設(shè)計規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測試
2.單項選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長度
3.單項選擇題下列電路實現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
4.單項選擇題下列表達式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
5.單項選擇題對于硅基CMOS電路，一個2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題