單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長度
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1.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
2.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
3.單項(xiàng)選擇題對于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
4.單項(xiàng)選擇題
下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
5.單項(xiàng)選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
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