單項選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
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1.單項選擇題對于硅基CMOS電路，一個2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
2.單項選擇題
下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
3.單項選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
4.單項選擇題如果跨導(dǎo)減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。
A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定
5.多項選擇題?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。
A.TiN是勢壘層（阻擋層）
B.兩個都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層
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下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
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