單項選擇題下列電路實現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
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1.單項選擇題下列表達式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=！（（A·B）·（C+D））
2.單項選擇題對于硅基CMOS電路，一個2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
3.單項選擇題
下圖所示電路屬于（）負反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負反饋
B.電流串聯(lián)負反饋
C.電壓并聯(lián)負反饋
D.電流并聯(lián)負反饋
4.單項選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
5.單項選擇題如果跨導(dǎo)減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。
A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定
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鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
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以下不屬于打碼目的的是（）。
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通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
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下列屬于BGAA形式的是（）。
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AUBM的形成可以采用（）方法。
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引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題