問答題如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?
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通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題