問(wèn)答題Poly（多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些？
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1.問(wèn)答題一般的離子注入層次（Implant layer）工藝制造可分為那幾道步驟?
2.問(wèn)答題一般的阱區(qū)離子注入調(diào)整電性可分為那三道步驟？ 功能為何？
4.問(wèn)答題在STI的刻蝕工藝過(guò)程中，要注意哪些工藝參數(shù)？
最新試題
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管只能通過(guò)直流電，不能通過(guò)交流電。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
薄層電阻
題型：名詞解釋
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題