點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。