問(wèn)答題預(yù)充電雖然在NOR ROM中工作得很好，但它應(yīng)用到NAND ROM時(shí)卻會(huì)出現(xiàn)某些嚴(yán)重的問(wèn)題。請(qǐng)解釋這是為什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
OED/ORD
題型：名詞解釋
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
薄層電阻
題型：名詞解釋
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題