單項(xiàng)選擇題無機(jī)非金屬材料常使用的原料方解石的主要成分是（）。
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
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1.單項(xiàng)選擇題在無機(jī)非金屬材料的生產(chǎn)過程中，玻璃不需要進(jìn)行的一個(gè)環(huán)節(jié)是（）。
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
2.單項(xiàng)選擇題目前各國的水泥生產(chǎn)均以（）生產(chǎn)技術(shù)作為優(yōu)先發(fā)展對象。
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
3.單項(xiàng)選擇題水泥原料經(jīng)烘干、配料、粉碎制成生料粉，然后喂到窯內(nèi)煅燒成熟料的方法稱為（）。
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
4.單項(xiàng)選擇題水泥的工藝流程簡單的說就是（）。
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
5.單項(xiàng)選擇題陶瓷的致命弱點(diǎn)在于（）。
A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題