單項選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過程中不需要控制（）。

A.反應溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進入反應爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑，可降低溫度


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1.單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應濺射法
C.化學氣相沉積法
D.電鍍法

3.單項選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學中的（）原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

4.單項選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結構呈（）。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

5.單項選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學參數(shù)中的（）。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

6.單項選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。

A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

7.單項選擇題磷硅玻璃的主要組成是（）和（）。

A.P，Si
B.P2O5，Si
C.P2O5，O2
D.P，SiO2

8.單項選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，最常用的儲能設備是（）。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

9.單項選擇題當PN結外加正向電壓時，擴散電流（）漂移電流，耗盡層（）。

A.大于，變寬
B.小于，變窄
C.大于，變窄
D.小于，變寬

10.單項選擇題在半導體中摻入五價磷原子后形成的半導體稱為（）。

A.本征半導體
B.P型半導體
C.N型半導體
D.化合物半導體