單項選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過程中不需要控制（）。
A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑，可降低溫度
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1.單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。
A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學氣相沉積法
D.電鍍法
2.單項選擇題薄膜光伏電池制備工藝中，等離子增強化學氣相沉淀法的英文縮寫是（）
A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD
3.單項選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學中的（）原理來減少反射。
A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射
4.單項選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈（）。
A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形
5.單項選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學參數(shù)中的（）。
A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻
最新試題
3位二進制加法計數(shù)器的，計數(shù)長度為（）
題型：單項選擇題
全加器的輸出信號是（）
題型：多項選擇題
3個JK觸發(fā)器，通過電路設(shè)計，可以接成（）進制以內(nèi)的，任意進制的計數(shù)器。
題型：單項選擇題
如果用預(yù)置數(shù)法實現(xiàn)3秒倒計時，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
題型：單項選擇題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負載（）
題型：單項選擇題
由兩個觸發(fā)器組成的時序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：單項選擇題
下列受時鐘控制的是（）
題型：單項選擇題
集成運放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠遠超出了數(shù)學運算，涉及到了（）測量和自動控制等方面
題型：多項選擇題
集成運放在信號運算中的應(yīng)用電路有（）
題型：多項選擇題
清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關(guān)，所以叫做同步清零。
題型：判斷題