單項選擇題下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
2.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
3.單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是()
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結(jié)開路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
4.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm,則(111)的面間距是多少?()
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
5.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題