A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
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A.結(jié)構(gòu)簡單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
最新試題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。