A.TTL集成門(mén)電路的電源電壓比CMOS集成門(mén)電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門(mén)電路的功耗比CMOS集成門(mén)電路的功耗低。
C.TTL與非門(mén)的輸入端可以懸空,CMOS與非門(mén)的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門(mén)和CMOS與非門(mén)的輸入端都可以懸空。
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A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
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C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
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B.晶體三極管
C.MOS晶體管
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最新試題
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門(mén)電路為()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱(chēng)為()觸發(fā)器。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是()
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
DRAM4164有2根片選線(xiàn)(RAS和CAS)、8根地址線(xiàn)和1根數(shù)據(jù)線(xiàn)。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?