A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
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A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空,CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
最新試題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實現(xiàn)()。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
利用2個74LS138和1個非門,可以擴(kuò)展得到1個()線譯碼器。
簡述用譯碼器或多路選擇器實現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
電可擦除的PROM器件是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。