IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

CMP的設備構成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）