封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）