半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質沉積的干擾。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數也更大。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質的介電常數實現。

有A和B兩種單質晶體，我們知道A的晶格常數是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。

MOSFET開關的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導電溝道的通斷。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。