判斷題PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
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3.單項(xiàng)選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
A.柵極長(zhǎng)度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
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半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。
題型：判斷題
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
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MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
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陰極射線致發(fā)光
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有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
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光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋