光電導效應

當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結上的電壓方向是反向偏置的

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。

陰極射線致發(fā)光

敏化劑

PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。

有A和B兩種單質晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

半導體中的價帶空穴電流其實就是導帶電子電流的一種等價說法。