PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

本征吸收

光生伏特效應(yīng)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

非本征光電導(dǎo)